|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
|
|
Фотоэлектрическая спектроскопия | Фотоэлектрическая спектроскопия (далее Ф) определение состава примесей в полупроводниках и изучение их энергетической структуры по спектрам примесной фотопроводимости. Примесный в полупроводнике может находиться в основном (невозбужденном) или одном из возбужденных энергетических состояний. Спектр этих состояний специфичен для каждого элемента примеси в данном полупроводнике. Если облучать полупроводник монохроматическим излучением, плавно изменяя частоту w, т. е. энергию фотонов  (где  – Планка постоянная), то всякий раз, когда  будет совпадать с энергетическим зазором между основным и одним из возбужденных состояний, примеси соответствующего сорта будет переходить в это возбужденное состояние, поглощая фотон. Можно подобрать температуру так, что энергия его тепловых колебаний окажется достаточной для ионизации возбужденного (но недостаточной для ионизации невозбужденного Тогда будет происходить двухступенчатая фототермическая ионизация примесных сначала оптическое возбуждение, а затем термическая ионизация. Ее результатом является выброс электрона или дырки из примеси в зону проводимости и соответственно – фотопроводимость.
Спектр примесной фотопроводимости состоит из набора пиков, каждый из которых соответствует энергии фотонов, вызывающих переход в одно из возбужденных состояний примеси определенного сорта (см. рис.). Высоты пиков в широких пределах изменения концентраций примесей не зависят от этих концентраций. Благодаря этому Ф позволяет обнаруживать ничтожно малые количества примесей. Например, в образце , спектр которого приведен на рисунке, суммарная концентрация примесных составляет 10-11% от общего числа Теоретический предел чувствительности Ф еще на несколько порядков ниже.
Лит.: Лифшиц Т. М., Лихтман Н. П., Сидоров В. И., Ф примесей в полупроводниках, "Письма в редакцию ЖЭТФ", 1968, т. 7, в. 3, с. 111–14; Коган Ш. М., Седунов Б. И., Фототермическая ионизация примесного центра в "Физика твердого тела", 1966, т. 8, в. 8, с. 2382–89; Быкова Е. М., Лифшиц Т. М., Сидоров В. И., Ф, полный качественный анализ остаточных примесей в полупроводнике, "Физика и техника полупроводников", 1973, т. 7, № 5, с. 986–88; Kogan Sh. М., Lifshits, T. М., Photoelectric Spectroscopy – a new Method of Analysis of Impurities in Semiconductors, "Physica status solidi (a)", 1977, 39, № 1, p. 11.
Т. М. Лифшиц.
|
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
 |
 |
 |
|
|
|
Новости 22.11.2024 19:52:33
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
