|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
|
|
Ферритовое запоминающее устройство | Ферритовое запоминающее устройство (далее Ф) запоминающее устройство, в котором носителями информации служат ферритовые сердечники с прямоугольной петлей гистерезиса. Ф используются в большинстве современных ЭВМ, преимущественно в качестве оперативной памяти с обращением по произвольному адресу. Количество хранимой информации достигает в Ф десятков млн. бит, время выборки – от десятых долей до нескольких мксек. В Ф сочетаются высокое быстродействие, малые габариты, высокая надежность, технологичность изготовления, экономичность. Применение ферритовых сердечников (ФС) в качестве запоминающих элементов памяти обусловлено их свойством сохранять после намагничивания одно из двух возможных устойчивых состояний, соответствующих значениям остаточной индукции (+ r или – r), что позволяет им хранить информацию, представленную в двоичном коде. Если по проводу, пронизывающему кольцевой ФС (рис.), пропускать импульсы тока (разной полярности), достаточные для создания поля Нт > c (c – коэрцитивная сила), то можно управлять состоянием ФС. Под действием перемагничивающего поля + Нт ФС после снятия поля оказывается в состоянии + r, эту операцию принято называть "записью 1". Для "записи 0" подают импульс тока, создающий поле – Нт, после воздействия которого ФС оказывается в состоянии – r. Сигнал, возникающий в проводе считывания ФС при изменении значения его индукции от + r до – r, называется сигналом "считывания 1"; при "считывании 0" индукция в ФС меняется незначительно и считанный сигнал оказывается значительно меньше сигнала "считывания 1". Процесс считывания сопровождается "стиранием" хранившейся информации, т.к. при этом ФС всегда переводится в состояние – Вт, т. е. записывается 0.
Поле Нт может быть создано либо одним импульсом тока, протекающим по одному проводу записи, либо несколькими импульсами тока (обычно двумя), протекающими одновременно по разным проводам, причем каждый из импульсов создает поле, равное или меньше Нт/2, в отдельности недостаточное для изменения состояния ФС. Способ создания перемагничивающего поля требуемой напряженности посредством суммирования в одном ФС частичных полей от двух и более импульсов тока называется принципом совпадения токов. Этот принцип используется в большинстве современных Ф
В Ф все ФС собираются в ферритовые матрицы, в состав Ф входят несколько таких матриц (иногда несколько десятков). Расположение ФС в матрице, внутренние (в матрице) и внешние (между матрицами) соединения проводов записи и считывания выбираются так, чтобы уменьшить количество электронной аппаратуры управления и повысить надежность функционирования Ф при заданном быстродействии и емкости. Наиболее распространены три системы организации Ф: 3-мерная (или с плоской выборкой, полутоковая, матричная, типа ХУ), 2-мерная (с непосредственной выборкой, полного тока, линейная, типа Z), 2,5-мерная (занимает промежуточное положение между 3- и 2-мерной). Соответственно эти системы обозначают символами 3D, 2D и 2,5D (D – начальная буква англ. dimension – измерение, координата). Применение той или иной системы организации Ф зависит от конкретных требований, предъявляемых к памяти ЭВМ: в Ф малой емкости и высокого быстродействия обычно используют систему 2D; при средней емкости и высоком быстродействии или большой емкости и среднем быстродействии – 2,5D; при большой емкости и малом быстродействии – 3D. В состав Ф входят сотни транзисторов, тысячи полупроводниковых диодов, сотни интегральных микросхем, миллионы ФС. Поэтому при создании Ф большой емкости необходимо обеспечивать идентичность характеристик и параметров элементов, особенно ФС, и экономичность данного запоминающего устройства. Наиболее экономичны запоминающие устройства с системой организации 3D; наименее экономична – 2D. Ф с системой организации 2,5D позволяет при сравнительно небольших затратах получать высокое быстродействие при больших емкостях, что предопределяет перспективность ее использования в современных ЭВМ.
Лит.: Крайзмер Л. П., Быстродействующие ферромагнитные запоминающие устройства, М. – Л., 1964; Бардиж В. В., элементы цифровых вычислительных машин, 2 изд., М., 1974; Китович В. В., и оперативные запоминающие устройства, 2 изд., М., 1975; Шигин А. Г., Дерюгин А. А., Цифровые вычислительные машины. Память ЦВМ, М., 1975.
А. В. Гусев.
|
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
 |
 |
 |
|
|
|
Новости 21.11.2024 13:23:46
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
