Большая Советская Энциклопедия.

Большая Советская Энциклопедия (цитаты)

Полупроводники аморфные

Полупроводники аморфные (далее П), вещества в твердом аморфном состоянии, обладающие свойствами полупроводников (см. Аморфное состояние). П разделяют на 3 группы: ковалентные (аморфные и , , и др.), халькогенидные стекла (например, 31302118), оксидные стекла (например, 25 - 25) и диэлектрические пленки (x, 23, 34 и др.).

  Энергетический спектр П отличается от П. наличием "хвостов" плотности электронных состояний, проникающих в запрещенную зону. По одной из теорий, П следует рассматривать как сильно легированный и сильно компенсированный полупроводник, у которого "дно" зоны проводимости и "потолок" валентной зоны флуктуируют, причем это - крупномасштабные флуктуации порядка ширины запрещенной зоны. Электроны в зоне проводимости (и дырки в валентной зоне) разбиваются на систему "капель", расположенных в ямах потенциального рельефа и разделенных высокими барьерами. Электропроводность в П при очень низких температурах осуществляется посредством подбарьерного туннелирования электронов между ямами аналогично прыжковой проводимости. При более высоких температурах электропроводность обусловлена тепловым "забросом" носителей на высокие энергетические уровни.

  П имеют различные практического применения. Халькогенидные стекла благодаря прозрачности для инфракрасного излучения, высокому сопротивлению и высокой фоточувствительности применяются в передающих телевизионных трубках, а также для записи голограмм (см. Голография). Диэлектрические пленки применяются также в структурах МДП (металл - диэлектрик - полупроводник).

  В системах металл - пленка П - металл при достаточно высоком напряжении (выше порогового) возможен быстрый (~10-10 сек) переход (переключение) П из высокоомного состояния в низкоомное. В частности, существует переключение с "памятью", когда высокопроводящее состояние сохраняется и после снятия напряжения (память "стирается" обычно сильным и коротким импульсом тока). Низкоомное состояние в системах с памятью связано с частичной П

  Лит.: Мотт Н., Дэвис Э., Электронные процессы в некристаллических веществах, пер. с англ., М., 1974.

  В. М. Любин, В. Б. Сандомирский.

 


Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска


Новости 21.10.2017 08:05:11


07:50 Российский боец Шлеменко уступил голландцу Мусаси
06:45 Венская полиция взяла штурмом магазин игрушек из-за девушки в костюме ниндзя
05:50 Программист Левашов заочно арестован
03:48 Виновницу смертельного ДТП в Харькове отправили под арест
02:42 Американский миллиардер начал кампанию за импичмент Трампа
01:43 Робот с дредами представил проект бюджета Ленинградской области