|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
|
|
Параметрический полупроводниковый диод | Параметрический полупроводниковый диод (далее П) полупроводниковый диод, относящийся к группе варакторных диодов, принцип действия которых основан на эффекте зависимости емкости р-n-перехода от приложенного к нему напряжения. В параметрических усилителях П используют в качестве элемента с переменной емкостью, включаемого в колебательный контур усилителя (использование p-n-перехода с этой целью впервые предложено Б. М. Вулом в 1954); на П подается постоянное обратное смещение (обычно - 0,3-2,0 в) и два переменных СВЧ (до нескольких сотен Ггц) сигнала - от генератора накачки и усиливаемый. П отличаются низким уровнем собственных шумов, который зависит в основном от сопротивления полупроводникового материала и его температуры. Для повышения верхней границы полосы частот усиливаемых колебаний стремятся уменьшить емкость П в рабочей точке 0 и постоянную времени диода ts = rs • 0, где rs - суммарное сопротивление объема П, примыкающего к р-n-переходу, и контактов. Мощность колебаний накачки ограничивается допустимым значением обратного напряжения доп на диоде. П изготавливают чаще всего из арсенида Значения основных параметров П, выпускаемых в СССР и за рубежом: 0=0,01- 2 пф, ts = 0,1-2 nceк, доп = 6-10 в и диапазон рабочих температур 4-350 К.
Лит.: Физические основы работы полупроводниковых СВЧ диодов, М., 1965; СВЧ- полупроводниковые приборы и их применение, пер. с англ., М., 1972.
И. Г. Васильев. |
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
 |
 |
 |
|
|
|
Новости 21.11.2024 12:19:36
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
