Большая Советская Энциклопедия.

Большая Советская Энциклопедия (цитаты)

Параметрический полупроводниковый диод

Параметрический полупроводниковый диод (далее П) полупроводниковый диод, относящийся к группе варакторных диодов, принцип действия которых основан на эффекте зависимости емкости р-n-перехода от приложенного к нему напряжения. В параметрических усилителях П используют в качестве элемента с переменной емкостью, включаемого в колебательный контур усилителя (использование p-n-перехода с этой целью впервые предложено Б. М. Вулом в 1954); на П подается постоянное обратное смещение (обычно - 0,3-2,0 в) и два переменных СВЧ (до нескольких сотен Ггц) сигнала - от генератора накачки и усиливаемый. П отличаются низким уровнем собственных шумов, который зависит в основном от сопротивления полупроводникового материала и его температуры. Для повышения верхней границы полосы частот усиливаемых колебаний стремятся уменьшить емкость П в рабочей точке 0 и постоянную времени диода ts = rs0, где rs - суммарное сопротивление объема П, примыкающего к р-n-переходу, и контактов. Мощность колебаний накачки ограничивается допустимым значением обратного напряжения доп на диоде. П изготавливают чаще всего из арсенида Значения основных параметров П, выпускаемых в СССР и за рубежом: 0=0,01- 2 пф, ts = 0,1-2 nceк, доп = 6-10 в и диапазон рабочих температур 4-350 К.

 

  Лит.: Физические основы работы полупроводниковых СВЧ диодов, М., 1965; СВЧ- полупроводниковые приборы и их применение, пер. с англ., М., 1972.

  И. Г. Васильев.


Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска


Новости 18.12.2017 07:50:31


07:19 Найден способ справиться с эпидемией ожирения
07:11 Обнаженное тело только что родившей матери в подгузниках осчастливило соцсети
07:00 85-летний ирландец решил стать геем для освобождения от налогов
05:00 В Канаде найден задушенным миллиардер-фармацевт
03:13 В результате штурма дворца в Киеве пострадали 60 нацгвардейцев
00:39 Строители случайно обесточили самый загруженный аэропорт в мире