|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
|
|
Лавинный транзистор | Лавинный транзистор (далее Л) транзистор, устойчиво работающий при напряжениях на коллекторном переходе, близких к напряжению пробоя. В этих условиях имеет место ударная ионизация, приводящая к увеличению числа носителей заряда в коллекторном переходе транзистора. Устойчивая работа Л в предпробойной области обеспечивается повышенной однородностью распределения электрического поля по площади коллекторного перехода. Для изготовления Л используются эпитаксиальные структуры р+-р и n+-n; базовая область Л создается методом диффузии (см. Эпитаксия, Полупроводниковая электроника). Особенность Л — возможность получения отрицательного сопротивления в цепи "эмиттер — коллектор" и быстрое нарастание силы тока в этой цепи. Л применяется в генераторах коротких импульсов с крутым фронтом и позволяет относительно просто формировать мощные импульсы тока (до нескольких а) со временем нарастания импульса менее 10-9 сек. Возможность генерирования Л коротких импульсов с частотой повторения до 100 Мгц используется в устройствах совпадения импульсов и в стробоскопических осциллографах. Наличие участка отрицательного сопротивления на вольтамперной характеристике Л и малое эффективное значение времени пролета носителей заряда от эмиттера к коллектору позволяют применять его также в генераторах и усилителях электрических колебаний дециметрового и сантиметрового диапазонов волн.
Ю. А. Кузнецов. |
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
 |
 |
 |
|
