Большая Советская Энциклопедия (цитаты)

Ганна диод

Ганна диод (далее Г) полупроводниковый прибор, работа которого основана на Ганна эффекте. Основным элементом Г является полупроводниковый из арсенида фосфида индия или др. толщиной от единиц до сотен мкм, к которому присоединены 2 омических контакта. Удельное электрическое сопротивление - от -~ 0,001 до ~0,01 ом- м. Эффект Ганна в нем возникает при достижении "критической" напряженности поля (в арсениде около 300 кв/м). Для создания промышленных Г используют арсенид Г применяют для усиления и генерирования электрических колебаний мощностью порядка нескольких квт (в импульсном режиме) и сотен мвт (в непрерывном режиме) на частотах от ~0,1 до ~100 Ггц, а также для создания быстродействующих логических и функциональных элементов электронных устройств.


Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска


Новости 30.05.2020 23:35:21
23:20 Трамп пригрозил протестующим многочисленными арестами
23:07 Глава UFC заявил о многомиллионных потерях из-за коронавируса
23:00 Россия увеличит убойность торпед
22:55 Обнародованы результаты вскрытия погибшего в Миннеаполисе афроамериканца
22:53 В Москве умерли 69 пациентов с коронавирусом
22:51 Погибший чернокожий и задержавший его полицейский оказались бывшими коллегами
22:22 Шедшего к Путину шамана признали опасным для окружающих
22:04 В Роспотребнадзоре назвали самый вероятный сценарий развития эпидемии COVID-19
21:41 Минздрав одобрил первое в России лекарство от коронавируса