Большая Советская Энциклопедия (цитаты)

Ганна диод

Ганна диод (далее Г) полупроводниковый прибор, работа которого основана на Ганна эффекте. Основным элементом Г является полупроводниковый из арсенида фосфида индия или др. толщиной от единиц до сотен мкм, к которому присоединены 2 омических контакта. Удельное электрическое сопротивление - от -~ 0,001 до ~0,01 ом- м. Эффект Ганна в нем возникает при достижении "критической" напряженности поля (в арсениде около 300 кв/м). Для создания промышленных Г используют арсенид Г применяют для усиления и генерирования электрических колебаний мощностью порядка нескольких квт (в импульсном режиме) и сотен мвт (в непрерывном режиме) на частотах от ~0,1 до ~100 Ггц, а также для создания быстродействующих логических и функциональных элементов электронных устройств.


Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска


Новости 15.11.2019 16:55:49

16:41 Пассажира с 24 бутылками «кокаинового шампуня» задержали в аэропорту
16:40 Украинский премьер припугнул депутатов фразой «здесь работает ФСБ»
16:36 В РУСАДА обнаружены «оборотни-махинаторы»
16:30 Раскрыт способ использования поврежденных купюр
16:26 Оценены разрушения Венеции
16:24 Модернизация «самого страшного оружия Путина в Сирии» утекла в сеть
16:13 Отчим-душитель раскаялся и показал захоронение пятилетней девочки из Крыма
16:12 На Украине предложили выдавать документы родившимся в Крыму детям
15:35 «Руки-базуки» Кирилла Терешина оказались подделкой