|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
|
|
Вакансия (дефект кристалла) | Вакансия (далее В) дефект по Шотки, дефект представляющий собой отсутствие или иона в узле решетки (рис. 1). В (дефект имеются во всех как бы тщательно эти ни выращивались. В реальном В (дефект возникают и исчезают в результате теплового движения Механизм образования В (дефект можно представить как выход поверхностного слоя на поверхность с последующим переходом возникающих поверхностных "дырок" (рис. 2, а, б, в). При этом вместо связи с тремя соседними остается только одна связь, а две другие разрываются. Следовательно, работа, необходимая для образования В (дефект равна энергии двух связей.
В (дефект беспорядочно перемещаются в обмениваясь местами с соседними Движение В (дефект является главной причиной перемешивания (самодиффузии) в а также взаимной диффузии контактирующих Каждой температуре соответствует определенная равновесная концентрация В (дефект Количество В (дефект в металлов вблизи температуры плавления достигает 1-2% от числа При комнатной температуре у одна В (дефект приходится на 1012 а у таких металлов, как и количество В (дефект при комнатной температуре еще меньше. Однако, несмотря на малую концентрацию, В (дефект существенно влияют на физические свойства понижают плотность, вызывают ионную проводимость и др. В (дефект играют важную роль в процессах термообработки, отдыхе металлов, рекристаллизации металлов, спекании и др. процессах.
Лит.: Уэрт Ч., Томсон ., Физика твердого тела, пер. с англ., М., 1966; Киттель Ч., Введение в физику твердого тела, пер. с англ., 2 изд., М., 1963.
|
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
 |
 |
 |
|
