|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
|
|
Полупроводниковые S-приборы | -приборы (далее П) полупроводниковые приборы, действие которых основано на -oбразной вольтамперной характеристике, на которой есть один (АВ) или несколько участков с отрицательным сопротивлением (см. рис.). У полупроводниковых приборов существует 2 типа нелинейных вольтамперных характеристик. Один из них характеризуется -oбразной формой (см. Туннельный диод, Ганна диод), другой — -oбразной. -п. реализуются различными способами. Первым -п. был кристадин. К -п. относятся четырехслойные структуры, в которых чередуются слои полупроводника с проводимостями n- и р-типов (тетристор). Четырехслойная структура содержит три р — n-перехода (см. Электронно-дырочный переход). Рабочий диапазон токов и напряжений тетристоров колеблется от единиц до десятков и сотен а и от десятков до нескольких сотен в и выше. Др. распространенным -п. является двухбазовый диод (однопереходный транзистор), у которого имеются 3 электрода и 2 цепи — эмиттерная и межбазовая. При наличии тока в межбазовой цепи в эмиттерной цепи возникает -xapakтеристика. -xapakтеристику имеют также при определенных условиях лавинные транзисторы, Ганна диоды и лавинно-инжекционные полупроводниковые диоды.
Наибольшее практическое применение получили четырехслойные структуры; они используются в электротехнической промышленности, в силовой и преобразовательной технике (где они вытеснили громоздкие и ненадежные тиратроны) и в электронике. Широкое распространение получил и двухбазовый диод, на основе которого создаются релаксационные генераторы и линии задержки. В перспективе — использование четырехслойных структур и однопереходных транзисторов в микроэлектронике.
Вводя в полупроводник примеси, создающие глубоколежащие энергетические уровни в запрещенной зоне, значительно повышают его сопротивление. При протекании тока первоначальное низкое сопротивление восстанавливается (компенсируется), причем часто повышение проводимости полупроводника сопровождается понижением падения напряжения на нем в то время, как ток растет. Это и обусловливает -oбразную вольтамперную характеристику. Известны -п. на компенсированных , , и др. материалах. В большинстве случаев переход от высокого сопротивления к низкому сопровождается шнурованием тока, т. е. уменьшением поперечного сечения токового канала. Шнурование тока имеет место (в пренебрежении собственными полями тока) только в -п. Например, в -диодах из , компенсированного удалось наблюдать скачкообразное уменьшение диаметра сечения токового канала от 400 мкм до 80—100 мкм. Шнурование тока наблюдается в компенсированном , четырехслойных структурах и т. д. С увеличением тока шнур расширяется так, что плотность тока в нем остается постоянной. При этом шнур может занять всю площадь контакта, как бы велика она ни была. Шнур может перемещаться как целое (например, в поле), не меняя величины поперечного сечения. Обе особенности указывают на возможности практического использования -п. для создания коммутаторов и переключателей тока высокой надежности.
-п. имеют по крайней мере 2 устойчивых состояния. Это позволяет создавать на их основе нейристоры, представляющие собой электронную модель окончания нервной клетки — аксона. В -п., созданных на основе компенсированного , наблюдается свечение при переходе прибора из высокоомного состояния в низкоомное. Т. е., -п. может быть управляемым источником света.
Находят применение также тетристоры. Возможно управление тетристорами при помощи падающего на них пучка света.
Лит.: Лосев О. В., "Телефония и телеграфия без проводов", 1922, № 14; Гаряинов С. А., Абезгауз И. Д., Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением, М., 1970; Полупроводниковые приборы и их применение. Сб. ст., под ред. Я. А. Федотова, в. 19, М., 1968; то же, в. 25, М., 1971; Стафеев В. И., Модуляция длины диффузионного смещения как новый принцип действия полупроводниковых приборов, "физика твердого тела", 1959, т. 1, в. 6; Волков А. Ф., Коган Ш. М., Физические явления в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью, "Успехи физических наук", 1968, т. 96, в. 1.
Г. М. Авакьянц.
|
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
 |
 |
 |
|
|
|
Новости 25.12.2024 10:56:00
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
