|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
|
|
Эпитаксия | Эпитаксия (далее Э) (от эпи... и греч. táxis — расположение, порядок), ориентированный рост одного на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они одинаковы. Ориентированный рост внутри объема другого называется эндотаксией. Э наблюдается при кристаллизации из любых сред (пара, раствора, расплава); при коррозии и т. д. Э определяется условиями сопряжения решеток нарастающего и подложки, причем существенно их структурно-геометрическое соответствие. Легче всего сопрягаются вещества, в одинаковых или близких структурных типах, например, гранецентрированного куба и решетки типа , сфалерита и решетки типа алмаза.
Однако Э можно получить и для резко различающихся структур, например решеток типа корунда и алмаза.
При описании Э указываются плоскости срастания и направления в них: (112) (111) //(1100) (0001) 23. Это означает, что грань (111) (решетка типа алмаза) нарастает параллельно грани (0001) 23 (решетка типа корунда), причем направление (112) в нарастающем параллельно направлению (1100) подложки (см. Кристаллы).
Э особенно легко осуществляется, если разность постоянных обеих решеток не превышает 10%. При больших расхождениях сопрягаются наиболее плотноупакованные плоскости и направления. При этом часть плоскостей одной из решеток не имеет продолжения в другой; края таких оборванных плоскостей образуют т. н. дислокации несоответствия. Последние обычно образуют сетку, в которой можно регулировать плоскость дислокации, меняя периоды сопрягающихся решеток (например, изменяя состав вещества). Таким же путем можно управлять и количеством дислокаций нарастающего слоя.
Э происходит таким образом, чтобы суммарная энергия границы, состоящей из участков подложка- и подложка-среда, была минимальной. У веществ с близкими структурами и параметрами (например, Аи на ) образование границы сопряжения энергетически невыгодно и нарастающий слой имеет в точности структуру подложки (псевдоморфизм). С ростом толщины упруго напряженной псевдоморфной пленки запасенная в ней энергия растет и при толщинах, превышающих критическую (для на это~ 600  ), нарастает пленка с собственной структурой.
Помимо структурно-геометрического соответствия, сопряжение данной пары веществ при Э зависит от температуры процесса, степени пересыщения (переохлаждения) вещества в среде, от совершенства подложки, чистоты ее поверхности и других условий Для разных веществ и условий существует т. н. эпитаксиальная температура, ниже которой нарастает только неориентированная пленка.
Процесс Э обычно начинается с возникновения на подложке отдельных которые срастаясь (коалесцируя) друг с другом, образуют сплошную пленку. На одной и той же подложке возможны разные типы нарастания, например (100) (100) //(100) (100) и (110) (111) //(110) (100) .
Э широко используется в микроэлектронике (транзисторы, интегральные схемы, светодиоды и т. д.); в квантовой электронике — многослойные полупроводниковые гетероструктуры (см. Полупроводниковый гетеропереход), инжекционные лазеры, в устройствах интегральной оптики в вычислительной технике ( элементы памяти с цилиндрическими доменами) и т. п.
Лит.: Палатник Л. С., Папиров И. И., Ориентированная М., 1964; их же, Эпитаксиальные пленки, М.,1971.
А. А. Чернов, Е. И. Гиваргизов. |
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
 |
 |
 |
|
