|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
 |
Электронный проектор | Электронный проектор (далее Э) автоэлектронный микроскоп, безлинзовый электроннооптический прибор для получения увеличенного в 105—106 раз изображения поверхности твердого тела. Э был изобретен в 1936 немецким физиком Э. Мюллером. Основные части Э: катод в виде острия с радиусом кривизны кончика ~10-7—10-8 м; стеклянная сферическая или конусообразная колба, дно которой покрыто слоем люминофора; и анод в виде проводящего слоя на стенках колбы или проволочного кольца, окружающего катод. При прогреве острия его кончик становится монокристаллическим и приобретает округленную форму. Колба вакуумируется (остаточное давление ~10-9—10-11 мм рт. ст.). Когда на анод подают положительное напряжение в несколько тыс. вольт относительно расположенного в центре колбы катода-острия, напряженность электрического поля в непосредственной близости от кончика острия достигает 10-7—10-8 в/см. Это обеспечивает интенсивную автоэлектронную эмиссию (см. Туннельная эмиссия) с кончика катода. Электроны, ускоряясь в радиальных (относительно кончика) направлениях, бомбардируя экран и вызывая свечение люминофора, создают на экране увеличенное изображение поверхности катода, отражающее симметрию структуры острия (см. рис.). Увеличение в Э равно отношению R/br, где R — расстояние катод — экран, r — радиус кривизны острия, b — фактор, характеризующий отклонение формы эквипотенциальных поверхностей электрического поля от сферической. Разрешающую способность Э ограничивают наличие тангенциальных составляющих скоростей автоэлектронов у кончика острия и (в меньшей степени) явление дифракции электронов. Предел разрешения Э составляет (2—3)×10-7 см.
Э применяется для изучения автоэлектронной эмиссии металлов и полупроводников, определения работы выхода с разных граней монокристалла и пр. Для наблюдения фазовых переходов, изучения адсорбции различных веществ на металлической или полупроводниковой поверхности и т. д. Э используют весьма ограниченно, т. к. намного большие возможности в этих отношениях дает применение ионного проектора.
|
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
 |
 |
 |
|
|
Новости 23.02.2025 12:51:15
|
|
|
 |
|
|
 |
 |
 |
|