|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
 |
Шотки диод | Шотки диод (далее Ш) Шоттки диод, диод с барьером Шотки, полупроводниковый диод, выполненный на основе контакта металл — полупроводник; назван в честь немецкого ученого В. Шотки, создавшего в 1938—39 основы теории таких диодов. При изготовлении Ш на очищенную поверхность полупроводникового (, , реже ) наносят тонкий слой металла (, , , и др.) методами вакуумного испарения, катодного распыления либо или электролитического осаждения. В Ш (в приконтактной области полупроводника), как и в диодах с электронно-дырочным переходом (в области этого перехода), возникает потенциальный барьер (см. также Шотки барьер), изменение высоты которого под действием внешнего напряжения (смещения) приводит к изменению тока через прибор (см. рис. 2). Ток через контакт металл — полупроводник, в отличие от тока через электронно-дырочный переход, обусловлен только основными носителями заряда.
Отличительные особенности Ш по сравнению с полупроводниковыми диодами др. типов: возможность получать требуемую высоту потенциального барьера посредством выбора соответствующего металла; значительная нелинейность вольтамперной характеристики при малых прямых смещениях; очень малая инерционность (до 10¾11 сек); низкий уровень ВЧ шумов; технологическая совместимость с интегральными схемами; простота изготовления. Ш служат главным образом СВЧ-диодами различного назначения ( смесительными, лавинно-пролетными, параметрическими, импульсными, умножительными); кроме того, Ш применяют в качестве приемников излучения, детекторов ядерного излучения, тензодатчиков, модуляторов света; их используют также в выпрямителях тока ВЧ, солнечных батареях и т.д.
Лит. см. при ст. Полупроводниковый диод.
Ю. Р. Носов.
 Рис. 2. Типичная вольтамперная характеристика полупроводникового диода с р — n-переходом: — напряжение на диоде; — ток через диод; *oбр и *oбр — максимальное допустимое обратное напряжение и соответствующий обратный ток; Ucт — напряжение стабилизации.
|
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
 |
 |
 |
|
|
Новости 23.02.2025 05:36:52
|
|
|
 |
|
|
 |
 |
 |
|