|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
|
|
Фототранзистор | Фототранзистор (далее Ф) транзистор (обычно биполярный), в котором инжекция неравновесных носителей осуществляется на основе фотоэффекта внутреннего; служит для преобразования световых сигналов в электрические с одновременным усилением последних. Ф представляет собой монокристаллическую полупроводниковую пластину из или , в которой при помощи особых технологических приемов созданы 3 области, называемые, как и в обычном транзисторе, эмиттером, коллектором и базой, причем последняя, в отличие от транзистора, как правило, вывода не имеет. монтируется в защитный корпус с прозрачным входным окном. Включение Ф во внешнюю электрическую цепь подобно включению биполярного транзистора, выполненному по схеме с общим эмиттером и нулевым током базы. При попадании света на базу (или коллектор) в ней образуются парные носители зарядов (электроны и дырки), которые разделяются электрическим полем коллекторного перехода. В результате в базовой области накапливаются основные носители, что приводит к снижению потенциального барьера эмиттерного перехода и увеличению (усилению) тока через Ф по сравнению с током, обусловленным переносом только тех носителей, которые образовались непосредственно под действием света.
Основными параметрами и характеристиками Ф, как и др. фотоэлектрических приборов (например, фотоэлемента, фотодиода), являются: 1) интегральная чувствительность (отношение фототока к падающему световому потоку), у лучших образцов Ф (например, изготовленных по диффузионной планарной технологии) она достигает 10 а/лм; 2) спектральная характеристика (зависимость чувствительности к монохроматическому излучению от длины волны этого излучения), позволяющая, в частности, установить длинноволновую границу применимости Ф; эта граница (зависящая прежде всего от ширины запрещенной зоны полупроводникового материала) для Ф составляет 1,7 мкм, для – 1,1 мкм; 3) постоянная времени (характеризующая инерционность Ф) не превышает нескольких сотен мксек. Кроме того, Ф характеризуется коэффициентом усиления первоначального фототока, достигающим 102–103.
Высокие надежность, чувствительность и временная стабильность параметров Ф, а также его малые габариты и относительная простота конструкции позволяют широко использовать Ф в системах контроля и автоматики – в качестве датчиков освещенности, элементов гальванической развязки и т.д. (см. Приемники излучения, Приемники света, Оптрон). С 70-х гг. 20 в, разрабатываются полевые Ф (аналоги полевых транзисторов).
Лит.: Амброзяк А., Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов, пер. с польск., М., 1970.
Ю. А. Кузнецов.
|
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
 |
 |
 |
|
|
|
Новости 25.12.2024 11:01:43
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
