|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
|
|
Фототермомагнитный эффект | Фототермомагнитный эффект (далее Ф) электронный термомагнитный эффект, возникновение в однородном полупроводнике, помещенном в поле Н, при облучении его электромагнитным излучением в перпендикулярном направлении, эдс в третьем перпендикулярном направлении. В результате поглощения излучения носителями тока в полупроводниках изменяется их средняя энергия. Такой "разогрев" носителей неоднороден и порождает поток более горячих носителей в направлении распространения излучения. Т. к. в этом направлении полупроводник электрически разомкнут, то в противоположном направлении появляется компенсирующий поток более холодных носителей. Время их свободного пробега зависит от энергии, поэтому перпендикулярное к этим потокам поле по-разному отклоняет горячие и холодные носители, что приводит к появлению эдс.
В отличие от Нернста – Эттингсхаузена эффекта и фотомагнитоэлектрического эффекта, Ф возникает независимо от наличия градиента температуры решетки полупроводника и градиента концентрации носителей. Эдс имеет наибольшую величину в полупроводниках с малой эффективной массой носителей тока (например, в при низких температурах). Используется для создания высокочувствительных малоинерционных приемников СВЧ- и инфракрасного излучения, применяемых в радиоастрономии, космических исследованиях, спектроскопии, радиотеплолокации.
Лит.: Электронный термомагнитный эффект, "Радиотехника и электроника", 1963, т. 8, в. 6, с. 994.
Э. М. Эпштейн.
|
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
 |
 |
 |
|
