|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
|
|
Фотодиод | Фотодиод (далее Ф) полупроводниковый диод, обладающий свойством односторонней фотопроводимости при воздействии на него оптического излучения. Ф представляет собой полупроводниковый обычно с электронно-дырочным переходом (р–n-переходом), снабженный 2 металлическими выводами (один от р-, другой от n-области) и вмонтированный в металлический или пластмассовый защитный корпус. Материалами, из которых выполняют Ф, служат , , , и др.
Различают 2 режима работы Ф: фотодиодный, когда во внешней цепи Ф содержится источник постоянного тока, создающий на р–n-переходе обратное смещение, и вентильный, когда такой источник отсутствует. В фотодиодном режиме Ф, как и фоторезистор, используют для управления электрическим током в цепи Ф в соответствии с изменением интенсивности падающего излучения. Возникающие под действием излучения неосновные носители диффундируют через р–n-переход и ослабляют электрическое поле последнего. Фототок в Ф в широких пределах линейно зависит от интенсивности падающего излучения и практически не зависит от напряжения смещения. В вентильном режиме Ф, как и полупроводниковый фотоэлемент, используют в качестве генератора фотоэдс.
Основные параметры Ф: 1) порог чувствительности (величина минимального сигнала, регистрируемого Ф, отнесенная к единице полосы рабочих частот), достигает 10-14 вт/гц1/2; 2) уровень шумов – не свыше 10-9 а; 3) область спектральной чувствительности лежит в пределах 0,3–15 мкм; 4) спектральная чувствительность (отношение фототока к потоку падающего монохроматического излучения с известной длиной волны) составляет 0,5–1 а/вт; 5) инерционность (время установления фототока) порядка 10-7–10-8 сек. В лавинном Ф, представляющем собой разновидность Ф с р–n-cтруктурой, для увеличения чувствительности используют т. н. лавинное умножение тока в р–n-переходе, основанное на ударной ионизации в области перехода фотоэлектронами. При этом коэффициент лавинного умножения составляет 102–104. Существуют также Ф с р–i–n-cтруктурой, близкие по своим характеристикам к Ф с р–n-cтруктурой; по сравнению с последними они обладают значительно меньшей инерционностью (до 10-10 сек).
Ф находят применение в устройствах автоматики, лазерной техники, вычислительной техники, измерительной техники и т.п.
Лит.: Тришенков М. А., Фример А. И., Фотоэлектрические полупроводниковые приборы с р–n-переходами, в сборнике: Полупроводниковые приборы и их применение, М., 1971; Рябов С. Г., Торопкин Г. Н., Усольцев И. Ф, Приборы квантовой электроники, М., 1976.
И. Ф Усольцев.
|
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
 |
 |
 |
|
|
|
Новости 22.12.2024 22:57:40
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
