|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
|
|
Тензорезистивный эффект | Тензорезистивный эффект (далее Т)изменение удельного электросопротивления твердого проводника (металла, полупроводника) в результате его деформации. Величина относительного изменения компонент тензора электросопротивления  связана с тензором деформации uim через тензор четвертого ранга  :  . На практике пользуются понятием тензочувствительности  , где  — относительное изменение длины l образца под действием приложенной нагрузки в определенном направлении,  — относительное изменение удельного электросопротивления r вдоль этого направления. В металлах k порядка единицы, в полупроводниках (например, в и ) в десятки и сотни раз больше.
Тензорезистивный эффект связан с изменением межатомных расстояний при деформации, что влечет за собой изменение структуры энергетических зон Последнее обусловливает изменение концентрации носителей тока (электронов проводимости, дырок), их эффективной массы, перераспределение их между энергетическими максимумами в зоне проводимости и минимумами в валентной зоне. Кроме того, деформация влияет на процессы рассеяния носителей (появление новых дефектов, изменение фононного спектра). Тензорезистивный эффект применяется в тензодатчиках сопротивлений, служащих для измерения деформаций.
Лит.: Блатт Фр. Д ж., Физика электронной проводимости в твердых телах, пер. с англ., М., 1971; Киреев П. С., Физика полупроводников, М., 1969: Ильинская Л. С., Подмарьков А. Н., Полупроводниковые тензодатчики, М.— Л., 1966; Глаговский Б. А., Пивен И. Д., Электротензометры сопротивления, 2 изд., Л., 1972.
Б. А. Аронзон. |
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
 |
 |
 |
|
