|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
|
Полупроводниковый стабилитрон | Полупроводниковый стабилитрон (далее П), полупроводниковый диод, на выводах которого напряжение остается почти постоянным при изменении в некоторых пределах величины протекающего в нем электрического тока. Рабочий участок вольтамперной характеристики П находится в узкой области обратных напряжений, соответствующих электрическому пробою его р—n-перехода. При напряжениях пробоя np < 5 в механизм резкого возрастания тока (пробой) связан с туннельным эффектом, а при np > 6,5 в — с лавинным умножением носителей заряда; при промежуточных напряжениях генерируемые первоначально (вследствие туннельного эффекта) носители заряда создают условия для управляемого лавинного пробоя. В СССР выпускаются (1975) П на различные номинальные напряжения стабилизации в диапазоне от 3 до 180 в. П применяют главным образом для стабилизации напряжения и ограничения амплитуды импульсов, в качестве источника опорного напряжения, в потенциометрических устройствах.
Лит.: Михин Д. В., стабилитроны, М. — Л., 1965.
И. Г. Васильев.
|
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
|
|
|
|
|
Новости 23.12.2024 05:45:56
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|