|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
|
|
Полупроводниковый лазер | Полупроводниковый лазер (далее П), полупроводниковый квантовый генератор, лазер с полупроводниковым в качестве рабочего вещества. В П, в отличие от лазеров др. типов, используются излучательные квантовые переходы не между изолированными уровнями энергии молекул и ионов, а между разрешенными энергетическими зонами (см. Твердое тело). В П возбуждаются и излучают (коллективно) слагающие решетку. Это отличие определяет важную особенность П — малые размеры и компактность (объем ~10-6—10-2см3). В П удается получить показатель оптич. усиления до 104 см-1 (см. Усиления оптического показатель), хотя обычно для возбуждения генерации лазера достаточны и меньшие значения (см. ниже). Другими практически важными особенностями П являются: высокая эффективность преобразования электрической энергии в энергию когерентного излучения (до 30—50%); малая инерционность, обусловливающая широкую полосу частот прямой модуляции (более 109 Ггц); простота конструкции; возможность перестройки длины волны l излучения и наличие большого числа полупроводников, непрерывно перекрывающих интервал длин волн от 0,32 до 32 мкм.
Люминесценция в полупроводниках. При рекомбинации электронов проводимости и дырок в полупроводниках освобождается энергия, которая может испускаться в виде квантов излучения (люминесценция) или передаваться колебаниями кристаллической решетки, т. е. переходить в тепло. Доля излучательных актов рекомбинации у таких полупроводников, как и , очень мала, однако в некоторых полупроводниках (например, , ) при очистке и легировании она может приближаться к 100%.
Для наблюдения люминесценции необходимо применить какой-либо способ возбуждения (накачки) т. е. способ генерации избыточных электронно-дырочных пар (светом, быстрыми электронами или электрическим полем). При малой скорости образования избыточных электронно-дырочных пар излучательная рекомбинация носит беспорядочный (спонтанный) характер и используется в нелазерных полупроводниковых источниках света (см. Светоизлучающий диод). Чтобы получить генерацию когерентного излучения, т. е. лазерный эффект, необходимо создать особое состояние люминесцирующего — состояние с инверсией населенностей.
Рекомбинация электронно-дырочной пары может сопровождаться испусканием кванта излучения, близкого по энергии к ширине запрещенной зоны DE полупроводника (рис. 1, а); при этом длина волны l " hc/DE, где h — Планка постоянная, с — скорость света.
Инверсия населенностей в полупроводниках. Оптическое квантовое усиление в полупроводнике может наблюдаться в том случае, если зона проводимости вблизи ее дна Ec заполнена электронами в большей степени, чем валентная зона вблизи ее потолка Eu. Преобладание числа переходов с испусканием квантов над переходами с их поглощением обеспечивается тем, что на верхних уровнях находится больше электронов, чем на нижних, тогда как вероятности вынужденных переходов в обоих направлениях одинаковы. Заполнение зон принято описывать с помощью т. н. квазиуровней отделяющих состояния с вероятностью заполнения уровней больше 1/2 от состояний с вероятностью заполнения меньше 1/2. Если  и  — квазиуровни для электронов и дырок, то условие инверсии населенностей относительно переходов с энергией hn (где n — частота излучения) выражается формулой:
 — > hn.
Для поддержания такого состояния необходима высокая скорость накачки, восполняющей убыль электронно-дырочных пар вследствие излучательных переходов. Благодаря этим вынужденным переходам поток излучения нарастает (рис. 1, б), т. е. реализуется оптическое усиление.
В П применяют следующие методы накачки: 1) инжекция носителей тока через р—n-переход (см. Электронно-дырочный переход), гетеропереход или контакт металл — полупроводник (инжекционные лазеры); 2) накачка пучком быстрых электронов; 3) оптическая накачка; 4), накачка путем пробоя в электрическом поле. Наибольшее развитие получили П первых двух типов.
Инжекционные лазеры. Лазер на р—n-переходе представляет собой полупроводниковый диод, у которого две плоскопараллельные поверхности, перпендикулярные р—n-переходу (рис. 2), образуют оптический резонатор (коэффициент отражения от граней ~20—40%). Инверсия населенностей достигается при большой плотности прямого тока через диод (порог генерации соответствует току ~1 кА/см2, а при пониженной температуре ~ 102 A/см2, рис. 3). Для получения достаточно интенсивной инжекции применяют сильно легированные полупроводники.
Инжекционные лазеры на гетеропереходе (появились в 1968) представляют собой, например, двусторонние гетероструктуры (рис. 4). Активный слой () заключен между двумя полупроводниковыми гетеропереходами, один из которых (типа р—n) служит для инжекции электронов, а второй (типа р—р) отражает инжектированные электроны, препятствуя их диффузионному растеканию из активного слоя (электронное ограничение). При одинаковом токе накачки в активном слое гетероструктуры достигается большая концентрация электронно-дырочных пар и, следовательно, большее оптическое усиление, чем в П На р—n-переходах. Другое преимущество гетероструктуры состоит в том, что образованный активным слоем диэлектрический волновод удерживает излучение, распространяющееся вдоль структуры, в пределах активного слоя (оптическое ограничение), благодаря чему оптическое усиление используется наиболее эффективно. Для П на гетеропереходе необходимая плотность тока при Т = 300 К более чем в 10 раз ниже, чем у П на р—n-переходе, что позволяет осуществить непрерывный режим генерации при температуре до 350 К.
П инжекционного типа (рис. 5) работают в импульсном режиме с выходной мощностью до 100 вт и в непрерывном режиме с мощностью более 10 вт () в ближней инфракрасной (ИК) области (l = 850 нм) и около 10 мвт (x1-x) в средней ИК области (l = 10 мкм). Недостаток инжекционных лазеров — слабая направленность излучения, обусловленная малыми размерами излучающей области (большая дифракционная расходимость), и относительно широкий спектр генерации по сравнению с газовыми лазерами.
П с электронной накачкой. При бомбардировке полупроводника быстрыми электронами с энергией ~ 103—106 эв в рождаются электронно-дырочные пары; количество пар, создаваемое одним электроном, ~/3DE. Этот способ применим к полупроводникам с любой шириной запрещенной зоны. Выходная мощность П достигает 106 вт, что объясняется возможностью накачки большого объема полупроводника (рис. 6). П с электронной накачкой содержит электронный прожектор, фокусирующую систему и полупроводниковый в форме оптического резонатора, помещенные в вакуумную колбу (рис. 7). Техническое достоинство П с электронной накачкой — возможность быстрого перемещения (сканирования) электронного пучка по что дает дополнительный способ управления излучением. Т. к. заметная часть энергии электронного пучка тратится на разогрев решетки то кпд ограничен (~1/3); на каждую электронно-дырочную пару расходуется энергия 3DE, а испускается фотон с энергией ~DE
Полупроводниковые лазерные материалы. В П используются главным образом бинарные соединения типа А3В5, А2В6, А4В6 и их смеси — твердые растворы (см. табл.). Все они — прямозонные полупроводники, в которых межзонная излучательная рекомбинация может происходить без участия фононов или др. электронов и поэтому имеет наибольшую вероятность среди рекомбинационных процессов. Кроме перечисленных в табл. веществ, имеется еще некоторое количество перспективных, но мало изученных материалов, пригодных для П, например др. твердые растворы. В твердых растворах величина DE зависит от состава, благодаря чему можно изготовить П на любую длину волны от 0,32 до 32 мкм.
Применение П: 1) оптическая связь (портативный оптический телефон, многоканальные стационарные линии связи); 2) оптическая локация и специальная автоматика (дальнометрия, высотометрия, автоматическое слежение и т.д.); 3) оптоэлектроника (излучатель в оптроне, логические схемы, адресные устройства, голографические системы памяти, см. Голография), 4) техника специального освещения (скоростная фотография, оптическая накачка др. лазеров и др.); 5) обнаружение загрязнений и примесей в различных средах; 6) лазерное проекционное телевидение (рис. 8).
Полупроводниковые лазеры (Э — накачка электронным пучком; О — оптическая накачка; И — инжекционные лазеры; П — накачка пробоем в электрическом поле)
Полупроводник
|
Длина волны излучения, мкм
|
Максимальная рабочая температура, К
|
Способ накачки
|
1-xx
1-xx
|
0,32
0,37
0,32—0,49
0,46
0,49—0,53
0,53
0,49—0,68
0,68—0,69
0,79
|
77
77
77
77
300
77
77
77
77
|
Э
Э
Э
Э
Э, О, П
Э
Э, О
Э, О
Э
|
1-xx
x1-x
x1-x
lnP
x1-x
1-xx
|
0.59
0,62—0,9
0,62—0,9
0,60—0,91
0,83—0,90
0,90—0,91
0,85—3,1
0,90—3,1
3,1—3,2
5,1—5,3
|
77
300
300
77
450
77
300
77
77
100
|
Э, О
Э, О, И
О, И
О, И
Э, О, И, П
О, И, П
О, И
О, И
Э, О, И
Э, О, И
|
1-xx
x1-x
|
3,9—4,3
3,9—8,5
6,4—6,5
8,4—8,5
6,4—31,8
|
100
77
100
100
100
|
Э, И
О, И
Э, О, И
Э, О, И
Э, О, И
|
Историческая справка. Первая работа о возможности использования полупроводников для создания лазера была опубликована в 1959 Н. Г. Басовым, Б. М. Вулом и Ю. М. Поповым. Применение р—n-переходов для этих целей было предложено в 1961 Н. Г. Басовым, О. Н. Крохиным, Ю. М. Поповым. П на впервые были осуществлены в 1962 в лабораториях Р. Холла, М. И. Нейтена и Н. Холоньяка (США). Им предшествовало исследование излучательных свойств р—n-переходов, показавшее, что при большом токе появляются признаки вынужденного излучения (Д. Н. Наследов, С. М. Рыбкин с сотрудниками, СССР, 1962). В СССР фундаментальные исследования, приведшие к созданию П, были удостоены Ленинской премии в 1964 (Б. М. Вул, О. Н. Крохин, Д. Н. Наследов, А. А. Рогачев, С. М. Рыбкин, Ю. М. Попов, А. П. Шотов, Б. В. Царенков). П с электронным возбуждением впервые осуществлен в 1964 Н. Г. Басовым, О. В. Богданкевичем, А. Г. Девятковым. В этом же году Н. Г. Басов, А. З. Грасюк и В. А. Катулин сообщили о создании П с оптической накачкой. В 1963 Ж. И. Алферов (СССР) предложил использовать гетероструктуры для П Они были созданы в 1968 Ж. И. Алферовым, В. М. Андреевым, Д. З. Гарбузовым, В. И. Корольковым, Д. Н. Третьяковым, В. И. Швейкиным, удостоенными в 1972 Ленинской премии за исследования гетеропереходов и разработку приборов на их основе.
Лит.: Басов Н. Г.. Крохин О. Н., Попов Ю. М., Получение состояний с отрицательной температурой в р—n-переходах вырожденных полупроводников, "Журнал экспериментальной и теоретической физики", 1961, т. 40, в. 6; Басов Н. Г., Полупроводниковые квантовые генераторы, "Успехи физических наук", 1965, т. 85, в. 4; Пилкун М., Инжекционные лазеры, "Успехи физических наук", 1969, т. 98, в. 2; Елисеев П. Г., Инжекционные лазеры на гетеропереходах, "Квантовая электроника", 1972, № 6 (12); Басов Н. Г., Никитин В. В., Семенов А. С., Динамика излучения Инжекционных полупроводниковых лазеров, "Успехи физических наук", 1969, т. 97, в. 4.
П. Г. Елисеев, Ю. М. Попов.
|
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
 |
 |
 |
|
|
|
Новости 22.12.2024 19:19:24
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
