|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
|
|
Полупроводники аморфные | Полупроводники аморфные (далее П), вещества в твердом аморфном состоянии, обладающие свойствами полупроводников (см. Аморфное состояние). П разделяют на 3 группы: ковалентные (аморфные и , , и др.), халькогенидные стекла (например, 31302118), оксидные стекла (например, 25 - 25) и диэлектрические пленки (x, 23, 34 и др.).
Энергетический спектр П отличается от П. наличием "хвостов" плотности электронных состояний, проникающих в запрещенную зону. По одной из теорий, П следует рассматривать как сильно легированный и сильно компенсированный полупроводник, у которого "дно" зоны проводимости и "потолок" валентной зоны флуктуируют, причем это - крупномасштабные флуктуации порядка ширины запрещенной зоны. Электроны в зоне проводимости (и дырки в валентной зоне) разбиваются на систему "капель", расположенных в ямах потенциального рельефа и разделенных высокими барьерами. Электропроводность в П при очень низких температурах осуществляется посредством подбарьерного туннелирования электронов между ямами аналогично прыжковой проводимости. При более высоких температурах электропроводность обусловлена тепловым "забросом" носителей на высокие энергетические уровни.
П имеют различные практического применения. Халькогенидные стекла благодаря прозрачности для инфракрасного излучения, высокому сопротивлению и высокой фоточувствительности применяются в передающих телевизионных трубках, а также для записи голограмм (см. Голография). Диэлектрические пленки применяются также в структурах МДП (металл - диэлектрик - полупроводник).
В системах металл - пленка П - металл при достаточно высоком напряжении (выше порогового) возможен быстрый (~10-10 сек) переход (переключение) П из высокоомного состояния в низкоомное. В частности, существует переключение с "памятью", когда высокопроводящее состояние сохраняется и после снятия напряжения (память "стирается" обычно сильным и коротким импульсом тока). Низкоомное состояние в системах с памятью связано с частичной П
Лит.: Мотт Н., Дэвис Э., Электронные процессы в некристаллических веществах, пер. с англ., М., 1974.
В. М. Любин, В. Б. Сандомирский.
|
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
 |
 |
 |
|
|
|
Новости 31.10.2025 11:03:39
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
