|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
|
|
Каналирование заряженных частиц в | Каналирование заряженных частиц в (далее К) движение частиц вдоль "каналов", образованных параллельными друг другу рядами При этом частицы испытывают скользящие столкновения (импульс почти не меняется) с рядами удерживающих их в этих "каналах" (рис.).
Если траектория частицы заключена между двумя плоскостями, то говорят о плоскостном каналировании, в отличие от аксиального каналирования, при котором частица движется между соседними рядами
К было предсказано американскими физиками М. Т. Робинсоном и О. С. Оуэном в 1961 и обнаружено в 1963-65 несколькими группами экспериментаторов. Каналирование тяжелых частиц (протонов и ионов) наблюдается при энергиях больше нескольких кэв, что соответствует длине волны де Бройля, малой по сравнению с постоянной решетки. К в этом случае может быть описано законами классической механики. Для К необходимо, чтобы угол, образуемый скоростью частицы и осью ряда (или плоскостью для плоскостного каналирования), не превышал некоторого критического значения кр. Угол кр тем больше, чем больше номера частицы и чем меньше энергия частицы и чем меньше расстояние между в ряду вдоль которого происходит К Для аксиального каналирования в некоторых направлениях кр = 0,1-5° (для плоскостного каналирования в несколько раз меньше).
Траектория каналированных частиц проходит дальше от ядер решетки, чем траектория неканалированных частиц. Это приводит к важным следствиям: 1) длина пробега частиц в канале значительно больше, чем длина пробега неканалированных частиц, т.к. электронная плотность в каналах меньше, чем в среднем в Увеличение длины пробега ионов при К используется при ионном легировании полупроводников (см. Ионное внедрение). 2) Поскольку каналированные частицы движутся сравнительно далеко от ядер и близких к нему электронных оболочек (К и L оболочек), то вероятность ядерных реакций и возбуждения рентгеновского излучения под действием каналированных частиц намного меньше.
Частицы, движущиеся в каналах, могут выходить из канала в результате рассеяния на дефектах в кристалле, что используется для изучения дефектов. С эффектом К тесно связан эффект теней (см. Теней эффект).
Каналирование электронов отличается от каналирования тяжелых частиц. Особенности каналирования электронов обусловлены влиянием их волновых свойств и отрицательным зарядом.
Лит.: Туликов А. Ф., Влияние решетки на некоторые и ядерные процессы. "Успехи физических наук", 1965, т. 87, в. 4, с. 585; Линдхард И., Влияние решетки на движение быстрых заряженных частиц, там же, 1969, т. 99, в. 2, с. 249; Томпсон М., Каналирование частиц в там же, 1969, т. 99, в. 2, с. 297; Каган Ю. М., Кононец Ю. В., Теория эффекта каналирования, "Журнал экспериментальной и теоретической физики", 1970, т. 58, в. 1, с. 226.
Ю. В. Мартыненко.
|
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
 |
 |
 |
|
|
|
Новости 05.11.2024 18:37:34
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
