|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
|
|
Ионное внедрение | Ионное внедрение (далее И) ионное легирование, введение посторонних внутрь твердого тела путем бомбардировки его поверхности ионами. Средняя глубина проникновения ионов в мишень тем больше, чем больше энергия ионов (ионы с энергиями ~ 10-100 кэв проникают на глубину 0,01-1 мкм). При бомбардировке монокристаллов глубина проникновения частиц вдоль определенных направлений резко возрастает (см. Каналирование заряженных частиц).
При интенсивной бомбардировке на И влияет катодное распыление мишени, а также диффузия внедренных ионов и их выделение с поверхности. Существует максимально возможная концентрация внедренных ионов, которая зависит от вида иона и мишени, а также от температуры мишени.
И наиболее широко используется при введении примесей в полупроводниковые монокристаллы для создания требуемой примесной электропроводности полупроводника. Следующий за этим отжиг проводится для уничтожения образовавшихся дефектов в кристалле, а также для того, чтобы внедренные ионы заняли определенные места в узлах решетки. И позволяет вводить в разные полупроводниковые материалы точно дозированные количества почти любых элементов. При этом можно управлять распределением внедренных ионов по глубине путем изменения энергии ионов, интенсивности и направления ионного пучка относительно осей. И позволяет создать в полупроводниковом электронно-дырочный переход на малой глубине, что увеличивает, например, предельную частоту транзисторов.
Лит.: Мейер Дж., Эриксон А., Девис Дж., Ионное легирование полупроводников ( пер. с англ., М., (в печати); Легирование полупроводников ионным внедрением, пер. с англ., М., 1971.
Ю. В. Мартыненко. |
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
 |
 |
 |
|
|
|
Новости 05.11.2024 16:35:09
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
