|
|
Большая Советская Энциклопедия (цитаты)
|
|
|
|
|
Ганна диод | | Ганна диод (далее Г) полупроводниковый прибор, работа которого основана на Ганна эффекте. Основным элементом Г является полупроводниковый из арсенида фосфида индия или др. толщиной от единиц до сотен мкм, к которому присоединены 2 омических контакта. Удельное электрическое сопротивление - от -~ 0,001 до ~0,01 ом- м. Эффект Ганна в нем возникает при достижении "критической" напряженности поля (в арсениде около 300 кв/м). Для создания промышленных Г используют арсенид Г применяют для усиления и генерирования электрических колебаний мощностью порядка нескольких квт (в импульсном режиме) и сотен мвт (в непрерывном режиме) на частотах от ~0,1 до ~100 Ггц, а также для создания быстродействующих логических и функциональных элементов электронных устройств. |
Для поиска, наберите искомое слово (или его часть) в поле поиска
|
|
 |
 |
 |
|
|
|
Новости 22.12.2024 19:29:49
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
